Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6.5 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:
IRF7319TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

98mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.78V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

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