Infineon HEXFET IRF7319TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A; 6,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 168-7931
Herst. Teile-Nr.:: IRF7319TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7319TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A; 6,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

Voraussichtlich ab 29.07.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 4000)

0,438 €

(ohne MwSt.)

0,521 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
4000 +	0,438 €	1.752,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-7931
Herst. Teile-Nr.:: IRF7319TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7319TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	4,9 A; 6,5 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	46 mΩ, 98 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Länge	5mm
Breite	4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm

Infineon HEXFET IRF7319TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A; 6,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon

Verwandte Produkte