Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.3 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-1112
Herst. Teile-Nr.:
IRF7104PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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