Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 827-3934
Herst. Teile-Nr.:: IRF9952TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:: IRF9952TRPBF
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	SOIC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	400mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Durchlassspannung Vf	0.82V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.1nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20, +20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Breite	4mm
	Höhe	1.5mm
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße SOIC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Durchlassspannung Vf 0.82V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.1nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Breite 4mm
	Höhe 1.5mm
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 2,3A/3,5A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF9952TRPBF

Dieser vielseitige MOSFET bietet eine hohe Leistung in einem kompakten Gehäuse, in dem sowohl N-Kanal- als auch P-Kanal-Konfigurationen integriert sind. Es ist für den effektiven Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert und gewährleistet Effizienz und Zuverlässigkeit. Mit einem maximalen Drain-Strom von 3,5 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V ist er für Anwendungen geeignet, die robuste Schaltfunktionen erfordern.

Eigenschaften und Vorteile

• Zweikanalige Konfiguration erhöht die Designflexibilität

• Oberflächenmontage vereinfacht die PCB-Bestückung

• Niedriger Widerstand (150mΩ und 400mΩ) reduziert den Leistungsverlust

• Hochtemperaturbetrieb (+150°C) gewährleistet Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen

• Verbesserte Gate-Ladungscharakteristik erhöht die Schalteffizienz

• Isolierte Transistorkonfiguration minimiert das Übersprechen für sauberere Signale

Anwendungsbereich

• Lösungen für das Energiemanagement

• Elektrische Fahrzeugsysteme für mehr Effizienz

• Industrielle Automatisierung und Steuerung

• Erneuerbare Energiesysteme für optimale Leistung

• Unterhaltungselektronik für verbesserte Geräteleistung

Welchen Nutzen hat die Isolierung dieses Geräts für meine Anwendung?

Die isolierte Konfiguration minimiert Interferenzen zwischen den Schaltkreisen, gewährleistet saubere Signale und verhindert unerwünschte Wechselwirkungen zwischen den Komponenten.

Welchen Temperaturbereich kann dieses Gerät im Betrieb bewältigen?

Er kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben werden und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.

Kann ich dieses Produkt in meinem oberflächenmontierten PCB-Design verwenden?

Ja, das oberflächenmontierbare Design ermöglicht eine einfache Integration in PCB-Layouts, optimiert den Platzbedarf und verbessert die thermische Leistung.

Welche Faktoren sollte ich beachten, wenn ich sie für Schaltanwendungen verwende?

Stellen Sie sicher, dass die maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V nicht überschritten wird, und überprüfen Sie, ob die Gate-Ladung mit Ihrer Schaltfrequenz übereinstimmt, um eine optimale Leistung zu erzielen.

Wie wirken sich die Spezifikationen auf meine Energieeffizienz aus?

Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand und dem hohen kontinuierlichen Drain-Strom trägt dieser MOSFET zu einer minimalen Verlustleistung bei und verbessert so die Gesamtenergieeffizienz in Ihren Schaltungsdesigns.