Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.9 A 2 W, 8-Pin SOIC

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826-8841
Herst. Teile-Nr.:
IRF7303TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 4,9A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF7303TRPBF


Dieser N-Kanal-MOSFET ist für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 4,9 A und einer Drain-Source-Spannung von 30 V bietet er eine hohe Leistung in unterschiedlichen Umgebungen. Durch seine Oberflächenmontage eignet er sich für kompakte Schaltungsdesigns, bei denen Platzersparnis und thermische Leistung wichtig sind. Dieses Gerät beweist Zuverlässigkeit und Effizienz in der Automatisierung und Elektronik.

Eigenschaften und Vorteile


• Verbesserte Effizienz mit einem niedrigen Rds(on) von 80 mΩ

• Hohe Verlustleistung mit einem Maximum von 2 W

• Zweikanalige Integration für mehr Funktionalität in Designs

• Robuster thermischer Betrieb bis zu +150°C für vielseitige Anwendungen

• Optimiert für den Betrieb im Anreicherungsmodus zur Verbesserung des Energiemanagements

• Kompaktes SOIC-Gehäuse erleichtert die Integration in moderne PCBs

Anwendungsbereich


• Wird in Stromversorgungsschaltungen zur Spannungsregelung verwendet

• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für effizienten Betrieb

• Geeignet für Beleuchtung die ein robustes Schalten erfordern

• Integriert in Unterhaltungselektronik für verbesserte Energieeffizienz

• Ideal für Kfz-Systeme, die eine zuverlässige Leistung erfordern

Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung für dieses Bauelement?


Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20 V, was die Kompatibilität mit verschiedenen Steuerschaltungen gewährleistet.

Wie wirkt sich der Rds(on)-Wert auf die Effizienz aus?


Ein niedrigerer Rds(on) verringert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert die Gesamteffizienz der Anwendungen.

Kann es bei extremen Temperaturen arbeiten?


Ja, er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C, der für raue Umgebungen geeignet ist.

Mit welcher Art von Leiterplatten ist dies kompatibel?


Es ist für Leiterplatten mit Oberflächenmontagetechnik (SMT) konzipiert und ermöglicht eine effiziente Raumnutzung.

Wie sollte man bei der Installation dieser Komponente vorgehen?


Es ist darauf zu achten, dass geeignete Löttechniken verwendet werden, um Hitzeschäden zu vermeiden und einen sicheren Sitz auf der Leiterplatte zu gewährleisten.

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