Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.5 A 2 W, 6-Pin Micro6

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 30 Stück)*

11,52 €

(ohne MwSt.)

13,71 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 780 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
30 +0,384 €11,52 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
830-3326
Herst. Teile-Nr.:
IRLMS2002TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

Micro6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.75 mm

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TH

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 6,5A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRLMS2002TRPBF


Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für eine effektive Leistung in Batteriemanagement- und Lastmanagementanwendungen entwickelt. Seine Fähigkeit, einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Temperaturbeständigkeit zu bieten, trägt zum effizienten Betrieb verschiedener elektronischer Systeme bei. Dank modernster Verarbeitungstechniken ist dieses Produkt ideal für Fachleute aus den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik.

Eigenschaften und Vorteile


• Oberflächenmontiertes Design minimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte

• Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Energieeffizienz

• Kontinuierliche Stromaufnahmefähigkeit von bis zu 6,5 A

• Unterstützt ±12V Gate-to-Source-Spannung für flexible Steuerung

• Effiziente thermische Leistung reduziert die Wärmeentwicklung

Anwendungsbereich


• Batteriemanagement für optimale Energieverteilung

• Lastmanagement in verschiedenen elektronischen Geräten

• Automobilindustrie die eine robuste Leistungsaufnahme erfordern

• Hocheffiziente Stromversorgungssysteme

• Erneuerbare Energiesysteme zur Energieregulierung

Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom bei erhöhten Temperaturen?


Bei einer Temperatur von 70°C kann ein kontinuierlicher Drain-Strom von 5,2A erreicht werden, wobei die Stabilität unter bestimmten Bedingungen erhalten bleibt.

Wie hoch ist der Wärmewiderstand für eine effektive Leistung?


Der maximale Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung beträgt 62,5°C/W, was eine effektive Wärmeabfuhr während des Betriebs gewährleistet.

Wie kann ich bei der Installation eine optimale Leistung sicherstellen?


Ein angemessenes Wärmemanagement und eine sorgfältige Berücksichtigung des PCB-Layouts sind für eine optimale Leistung unerlässlich und ermöglichen eine effiziente Wärmeableitung und Zuverlässigkeit.

Welche Spannung kann angelegt werden, ohne dass ein Durchschlag droht?


Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 20 V, die als kritischer Schwellenwert dient, um unnötige Durchbrüche während des Betriebs zu verhindern.

Gibt es einen bestimmten thermischen Derating-Faktor zu berücksichtigen?


Ja, der lineare Derating-Faktor beträgt 0,016 W/°C, was bedeutet, dass die Verlustleistung an die Umgebungstemperatur angepasst werden muss, um die Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Verwandte Links