Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.2 A 1.7 W, 6-Pin Micro6

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RS Best.-Nr.:
262-6786
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-683
Herst. Teile-Nr.:
IRLMS1503TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

Micro6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.4nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs von Infineon nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das der Stromversorgungs-MOSFET bekannt ist, bietet er dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Extrem niedrige Rds

N-Kanal

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