Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.3 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
168-7933
Herst. Teile-Nr.:
IRF7389TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

98mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.78V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

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