Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 168-7933
Herst. Teile-Nr.:: IRF7389TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 168-7933
Herst. Teile-Nr.:: IRF7389TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7389TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	5,3 A; 7,3 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	46 mΩ, 98 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm

Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon

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