Infineon HEXFET IRF9310TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 827-3912
Herst. Teile-Nr.:: IRF9310TRPBF
Marke:: Infineon

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Infineon HEXFET IRF9310TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Voraussichtlich ab 16.09.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,23 €

(ohne MwSt.)

1,46 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	1,23 €	12,30 €
100 - 240	1,168 €	11,68 €
250 - 490	1,119 €	11,19 €
500 - 990	1,045 €	10,45 €
1000 +	0,984 €	9,84 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 827-3912
Herst. Teile-Nr.:: IRF9310TRPBF
Marke:: Infineon

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	6,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	110 nC @ 15 V, 58 nC @ 4,5 V
Breite	4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5mm
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET IRF9310TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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