Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 6.2 A 2.5 W, 8-Pin IRF7241TRPBF SOIC

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826-8844
Herst. Teile-Nr.:
IRF7241TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 6,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - IRF7241TRPBF


Dieser MOSFET ist für ein effizientes Leistungsmanagement in elektronischen Schaltungen konzipiert. Mit einer P-Kanal-Konfiguration und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 6,2 A ist er für verschiedene Anwendungen geeignet. Der Betrieb im Erweiterungsmodus verbessert seine Anpassungsfähigkeit an verschiedene elektronische Geräte und macht ihn zu einem unverzichtbaren Bestandteil von Automatisierungs- und elektrischen Systemen.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V für hohe Leistung

• Niedriger Einschaltwiderstand von 70 mΩ verbessert die Effizienz und minimiert die Wärmeentwicklung

• Hält einer maximalen Betriebstemperatur von +150°C stand

• Breiter Gate-Spannungsbereich ermöglicht flexible Designintegration

• Ein-Transistor-Konfiguration vereinfacht das Schaltungslayout und spart Platz

• Typische Gate-Ladung von 53nC bei 10 V ermöglicht schnelles Schalten

Anwendungsbereich


• Einsatz in Energiemanagementsystemen für die Automatisierung

• Geeignet für den Antrieb von Lasten in der Unterhaltungselektronik

• Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Regelkreisen

• Eingebunden in verschiedene Elektroindustrie

• Integriert in Motorsteuerungs- und Industrieautomatisierungssysteme

Welche Bedeutung hat die Messung des niedrigen RDS(on)?


Eine niedrige RDS(on)-Messung deutet auf geringere Leistungsverluste während des Betriebs hin, was zu einem besseren Wirkungsgrad und einer geringeren Wärmeentwicklung führt.

Wie wirkt sich die maximale Gate-Source-Spannung auf die Leistung aus?


Der maximale Gate-Source-Spannungsbereich ermöglicht eine größere Kompatibilität mit verschiedenen Treiberschaltungen und gewährleistet ein zuverlässiges Schalten unter verschiedenen Betriebsbedingungen.

Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?


Sorgen Sie für ein angemessenes Wärmemanagement und stellen Sie sicher, dass die Betriebsbedingungen innerhalb der angegebenen Höchstwerte liegen, insbesondere für Spannung und Temperatur.

Wie wirkt sich das Verhalten im Anreicherungsmodus auf den Schaltungsentwurf aus?


Im Enhancement-Modus ist der Transistor bei einer Gate-Spannung von Null ausgeschaltet, was zu einem geringeren Stromverbrauch im Standby-Modus führt und die Zuverlässigkeit der Schaltung insgesamt erhöht.

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