Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -3.6 A 1.8 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
262-6742
Herst. Teile-Nr.:
IRF7606TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Er ist für den Einsatz mit Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern geeignet.

Vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom

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