Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 15 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 145-9567
Herst. Teile-Nr.:: IRF9321TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 15 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 145-9567
Herst. Teile-Nr.:: IRF9321TRPBF
Marke:: Infineon

IRF9321PbF P-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	15 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	11,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	65 nC @ 10 V
Länge	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	1.5mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 15 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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