Infineon HEXFET IRF9321TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 15 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 145-9567
Herst. Teile-Nr.:: IRF9321TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF9321TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 15 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 145-9567
Herst. Teile-Nr.:: IRF9321TRPBF
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Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	15 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	11,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4mm
Länge	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	65 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm