Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 10.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
168-7928
Herst. Teile-Nr.:
IRF7240TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 10,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40 V maximale Drain-Source-Spannung - IRF7240TRPBF


Dieser P-Kanal-MOSFET eignet sich hervorragend für Power-Management-Lösungen. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 10,5 A und einer Drain-Source-Spannung von 40 V ist er für die Oberflächenmontage in einem kompakten SOIC-Gehäuse ausgelegt. Mit einer Länge von 5 mm, einer Breite von 4 mm und einer Höhe von 1,5 mm eignet er sich für verschiedene elektronische Anwendungen, einschließlich Batteriemanagementsysteme.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt hohe Stromlasten bis zu 10,5 A, ideal für anspruchsvolle Aufgaben

• Effektiver Betrieb im Erweiterungsmodus für verbesserte Kontrolle

• Entwickelt für thermische Leistung mit einem maßgeschneiderten Leadframe

• Geeignet für mehrere Anwendungen, spart Platz an Bord

• Kompatibel mit Standard-Lötverfahren wie Infrarot und Welle

Anwendungen


• Einsatz in Batteriemanagementsystemen zur Leistungsüberwachung

• Einsatz in Lastmanagement-Schaltungen, die eine effiziente Leistungsmanipulation erfordern

• Geeignet für Kraftfahrzeuge, bei denen Platz und Effizienz entscheidend sind

• Integrierte Stromversorgungen für zuverlässiges Lasthandling

Was sind die wichtigsten thermischen Eigenschaften dieses Geräts?


Der Baustein weist aufgrund seines maßgeschneiderten Leadframe-Designs verbesserte thermische Eigenschaften auf, die einen komfortablen Betrieb innerhalb eines Sperrschichttemperaturbereichs von -55°C bis +150°C ermöglichen.

Wie wirkt sich der Einschaltwiderstand auf die Gesamtleistung aus?


Mit einem außergewöhnlich niedrigen Rds(on) von nur 25mΩ reduziert dieser MOSFET die Leistungsverluste während des Betriebs erheblich, wodurch die Effizienz von Leistungsschaltungen erhöht und die Wärmeableitung verbessert wird.

Kann es in Hochfrequenzanwendungen verwendet werden?


Ja, die Parameter des Bauelements, wie z. B. die typische Gate-Ladung von 73 nC bei 10 V, ermöglichen einen effektiven Betrieb in Hochfrequenzanwendungen, wodurch es sich für verschiedene elektronische Geräte eignet.

Was sollte für einen optimalen Einsatz in Schaltkreisen beachtet werden?


Es muss unbedingt sichergestellt werden, dass die Gate-Source-Spannung innerhalb der maximalen Grenzen von ±20 V bleibt, um Schäden zu vermeiden und so die Zuverlässigkeit und Leistung des Bauelements in der Anwendung zu erhalten.

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