Infineon HEXFET AUIRF7342QTR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A, 8-Pin SOIC

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon AUIRF7342QTR wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieses zellulare Design der HEXFET®-Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Planartechnologie
Low-On-Widerstand
Logic Level Gate Drive
Dual-P-Kanal-MOSFET
Dynamische dv/dt-Nennleistung
150 °C Betriebstemperatur
Schnelles Schalten
Vollständige Avalanchebelastbarkeit
Bleifrei, RoHS-konform