Infineon Typ P-Kanal 2 MOSFET -55 V / -3.4 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
243-9284
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7342QTR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-55V

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Durchlassspannung Vf

-55V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon AUIRF7342QTR wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieses zellulare Design der HEXFET®-Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Planartechnologie

Low-On-Widerstand

Logic Level Gate Drive

Dual-P-Kanal-MOSFET

Dynamische dv/dt-Nennleistung

150 °C Betriebstemperatur

Schnelles Schalten

Vollständige Avalanchebelastbarkeit

Bleifrei, RoHS-konform

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