Infineon HEXFET N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A; 6,6 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-8875
Herst. Teile-Nr.:
IRF7317TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

5,3 A; 6,6 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

46 mΩ, 98 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

0.7V

Gate-Schwellenspannung min.

0.7V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Breite

4mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18 nC @ 4,5 V, 19 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

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