Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage IR-MOSFET Doppelt -30 V / -4 A, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
257-5492
Distrelec-Artikelnummer:
304-40-518
Herst. Teile-Nr.:
IRF7306TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

IR-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Doppelt

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.7nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Höhe

1.75mm

Automobilstandard

Nein

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