STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 35 V / 80 A 70 W, 3-Pin TO-252

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

4,82 €

(ohne MwSt.)

5,74 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 413 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 44,82 €
5 - 94,57 €
10 - 244,12 €
25 - 493,71 €
50 +3,53 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
249-6745
Herst. Teile-Nr.:
STD80N240K6
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

35V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STD

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.01mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

UL

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics für sehr hohe Spannungen wurde mit der ultimativen Mesh-K6-Technologie entwickelt, die auf der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der klassenbeste On-Widerstand pro Fläche und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überragende Leistungsdichte und hohe Effizienz erfordern.

Weltweit bester RDS(on) x Fläche

Weltweit bester FOM (Figure of Merit)

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Avalanche-getestet

Zener-geschützt

Verwandte Links