STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 35 V / 80 A 70 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
249-6744
Herst. Teile-Nr.:
STD80N240K6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

35V

Serie

STD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.01mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.4mm

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

UL

Breite

6.6 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics für sehr hohe Spannungen wurde mit der ultimativen Mesh-K6-Technologie entwickelt, die auf der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der klassenbeste On-Widerstand pro Fläche und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überragende Leistungsdichte und hohe Effizienz erfordern.

Weltweit bester RDS(on) x Fläche

Weltweit bester FOM (Figure of Merit)

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Avalanche-getestet

Zener-geschützt

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