STMicroelectronics STD8N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

Bei diesen Geräten handelt es sich um N-Kanal-MDmesh ® V-Leistungs-MOSFETs, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Prozesstechnologie basieren, die mit der bekannten horizontalen PowerMESH TM-Layoutstruktur von STMicroelectronics kombiniert wird. Das resultierende Produkt verfügt über einen extrem niedrigen Betriebswiderstand, der bei Silizium-basierten Leistungs-MOSFETs unerreicht ist, wodurch es sich besonders für Anwendungen eignet, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

Weltweit bester RDS(on)-Bereich
Höhere VDSSrating
Hohe DV/DT-Fähigkeit.
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
Leicht zu fahren
Anwendungen
Schaltanwendungen

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics