STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 791-9308
- Herst. Teile-Nr.:
- STD80N4F6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Serie | DeepGate, STripFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 70 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Länge | 6.6mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 6.2mm |
| Höhe | 2.4mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 791-9308
- Herst. Teile-Nr.:
- STD80N4F6
- Marke:
- STMicroelectronics
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