STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
165-6582
Herst. Teile-Nr.:
STD80N4F6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

DeepGate, STripFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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