STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 165-6582
Herst. Teile-Nr.:: STD80N4F6
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)

0,731 €

(ohne MwSt.)

0,87 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2500 +	0,731 €	1.827,50 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 165-6582
Herst. Teile-Nr.:: STD80N4F6
Marke:: STMicroelectronics

Power MOSFET N ch StripFET VI 40V 80A Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	DeepGate, STripFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	70 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	6.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	6.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.4mm

STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

Verwandte Produkte