STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 250 W, 3-Pin H2PAK

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RS Best.-Nr.:
168-8819
Herst. Teile-Nr.:
STH150N10F7-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

DeepGate, STripFET

Gehäusegröße

H2PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

117nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.57 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.8mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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