STMicroelectronics DeepGate, STripFET STH150N10F7-2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 250 W, 3-Pin H2PAK-2

RS Best.-Nr.:: 168-8819
Herst. Teile-Nr.:: STH150N10F7-2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics DeepGate, STripFET STH150N10F7-2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 250 W, 3-Pin H2PAK-2

Voraussichtlich ab 21.07.2025 verfügbar.

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)

1,842 €

(ohne MwSt.)

2,192 €

(inkl. MwSt.)

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RS Best.-Nr.:: 168-8819
Herst. Teile-Nr.:: STH150N10F7-2
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	H2PAK-2
Serie	DeepGate, STripFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3,9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	250 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	10.57mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	117 nC bei 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.8mm