STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 7-Pin H2PAK-6

RS Best.-Nr.:: 103-2006
Herst. Teile-Nr.:: STH310N10F7-6
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 7-Pin H2PAK-6

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RS Best.-Nr.:: 103-2006
Herst. Teile-Nr.:: STH310N10F7-6
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	H2PAK-6
Serie	STripFET H7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	2,3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	315 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	15.25mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	180 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.8mm

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 7-Pin H2PAK-6

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N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

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