STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 315 W, 3-Pin H2PAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

3.107,00 €

(ohne MwSt.)

3.697,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +3,107 €3.107,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-6593
Herst. Teile-Nr.:
STH310N10F7-2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

STripFET H7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

315W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.8mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.4 mm

Länge

15.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links