STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 786-3726
Herst. Teile-Nr.:: STL110N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 786-3726
Herst. Teile-Nr.:: STL110N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STL110N10F7 N-channel Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	STripFET H7
Gehäusegröße	PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	60 nC @ 10 V
Länge	5.4mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	6.35mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	0.95mm

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6

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N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

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