STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 75 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 792-5892
Herst. Teile-Nr.:: STL30N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 75 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 792-5892
Herst. Teile-Nr.:: STL30N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STL30N10F7, N-Channel 100V, 0.027 Ohm typ., 8A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	STripFET H7
Gehäusegröße	PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	35 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	75 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	5.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Länge	6.35mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	0.95mm

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 75 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6

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N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

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