STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 150 W, 3-Pin STP110N10F7

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Herst. Teile-Nr.:
STP110N10F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

STripFET H7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.6 mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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