STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 315 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
103-2008
Herst. Teile-Nr.:
STP310N10F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

STripFET H7

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Maximale Verlustleistung Pd

315W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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