STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 786-3798
Herst. Teile-Nr.:: STP310N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: STP310N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STP310N10F7 N-channel Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	STripFET H7
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	315 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	180 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.6mm
Höhe	15.75mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

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