STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 180 A 315 W, 3-Pin STH270N8F7-2 H2PAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

9,06 €

(ohne MwSt.)

10,78 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 988 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +4,53 €9,06 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
792-5855
Herst. Teile-Nr.:
STH270N8F7-2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

STripFET H7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

193nC

Maximale Verlustleistung Pd

315W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

15.8 mm

Länge

10.4mm

Höhe

4.8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links