STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 180 A 315 W, 3-Pin STH270N8F7-2 H2PAK

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STH270N8F7-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

STripFET H7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

193nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

315W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Breite

15.8 mm

Höhe

4.8mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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