STMicroelectronics DeepGate, STripFET STH150N10F7-2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 250 W, 3-Pin H2PAK-2

RS Best.-Nr.:: 860-7523
Herst. Teile-Nr.:: STH150N10F7-2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics DeepGate, STripFET STH150N10F7-2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 250 W, 3-Pin H2PAK-2

Voraussichtlich ab 21.07.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

3,32 €

(ohne MwSt.)

3,95 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	3,32 €	6,64 €
10 - 18	3,15 €	6,30 €
20 - 48	2,835 €	5,67 €
50 - 98	2,55 €	5,10 €
100 +	2,43 €	4,86 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 860-7523
Herst. Teile-Nr.:: STH150N10F7-2
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	DeepGate, STripFET
Gehäusegröße	H2PAK-2
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3,9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	250 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	117 nC bei 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	10.57mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.8mm