STMicroelectronics DeepGate, STripFET STP260N6F6 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 920-8751
- Herst. Teile-Nr.:
- STP260N6F6
- Marke:
- STMicroelectronics
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(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | 3,593 € | 179,65 € |
| 100 - 200 | 2,838 € | 141,90 € |
| 250 + | 2,695 € | 134,75 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
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- 920-8751
- Herst. Teile-Nr.:
- STP260N6F6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | DeepGate, STripFET |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 300 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
| Länge | 10.4mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 4.6mm |
| Höhe | 15.75mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 920-8751
- Herst. Teile-Nr.:
- STP260N6F6
- Marke:
- STMicroelectronics
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