STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
168-7116
Herst. Teile-Nr.:
STP360N4F6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

DeepGate, STripFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

340 nC @ 10 V

Länge

10.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.6mm

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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