STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-7116
Herst. Teile-Nr.:: STP360N4F6
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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STI360N4F6, STP360N4F6, N-Channel 40V, 120A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in I2PAK and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	DeepGate, STripFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	340 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.6mm
Höhe	15.75mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

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