STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET Transistor 30 V / 75 A 60 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 760-9761
- Herst. Teile-Nr.:
- STU75N3LLH6
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 760-9761
- Herst. Teile-Nr.:
- STU75N3LLH6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 75 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8,4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 60 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 6.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 6.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 75 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8,4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 60 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 6.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 6.9mm | ||
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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