STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 1,4 A 45 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
760-9566
Herst. Teile-Nr.:
STD2NK60Z-1
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,4 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Gehäusegröße

TO-251

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

45 W

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

2.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,7 nC @ 10 V

Länge

6.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

6.2mm

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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