STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6 A 110 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
920-8745
Herst. Teile-Nr.:
STP6NK60Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

110 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

33 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.6mm

Höhe

9.15mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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