STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP6NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6 A 110 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 920-8745
Herst. Teile-Nr.:: STP6NK60Z
Marke:: STMicroelectronics

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP6NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6 A 110 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 920-8745
Herst. Teile-Nr.:: STP6NK60Z
Marke:: STMicroelectronics

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	6 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	33 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	9.15mm

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP6NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6 A 110 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

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