STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

8,12 €

(ohne MwSt.)

9,66 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
  • Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 18. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +0,812 €8,12 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
151-942
Herst. Teile-Nr.:
STP6NK60Z
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SuperMESH

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

28.9mm

Breite

10.4 mm

Höhe

28.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wird durch eine extreme Optimierung des bewährten streifenbasierten Power-MESH-Layouts erreicht. Neben der deutlichen Senkung des Widerstands wird besonders darauf geachtet, eine sehr gute dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.

Extrem hohe dv/dt-Fähigkeit

100% Avalanche-getestet

Minimierung der Gate-Ladung

Verwandte Links