STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP10NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 485-7412
Herst. Teile-Nr.:: STP10NK60Z
Marke:: STMicroelectronics

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP10NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin TO-220

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

3,062 €

(ohne MwSt.)

3,644 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 5	3,062 €	15,31 €
10 - 95	2,58 €	12,90 €
100 - 495	2,016 €	10,08 €
500 - 995	1,698 €	8,49 €
1000 +	1,424 €	7,12 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 485-7412
Herst. Teile-Nr.:: STP10NK60Z
Marke:: STMicroelectronics

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	750 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	115 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.6mm
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	50 nC @ 10 V
Höhe	9.15mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP10NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

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