STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 156 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 168-6237
- Herst. Teile-Nr.:
- STW10NK60Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
63,93 €
(ohne MwSt.)
76,08 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 630 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 2,131 € | 63,93 € |
| 150 - 270 | 1,942 € | 58,26 € |
| 300 + | 1,733 € | 51,99 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-6237
- Herst. Teile-Nr.:
- STW10NK60Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.5 A 125 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 5.8 A 140 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 8.3 A 230 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 11 A 230 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 15 A 350 W, 3-Pin TO-247