STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW10NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 485-8572
Herst. Teile-Nr.:: STW10NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW10NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-247

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100 - 499	3,17 €
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RS Best.-Nr.:: 485-8572
Herst. Teile-Nr.:: STW10NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	9 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	900 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	160 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	72 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	15.75mm
Breite	5.15mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C