STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW12NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 920-8859
Herst. Teile-Nr.:: STW12NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW12NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-247

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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

4,28 €

(ohne MwSt.)

5,09 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 60	4,28 €	128,40 €
90 - 480	3,42 €	102,60 €
510 - 960	3,047 €	91,41 €
990 - 4980	2,572 €	77,16 €
5010 +	2,483 €	74,49 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 920-8859
Herst. Teile-Nr.:: STW12NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10,5 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	750 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	15.75mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	87 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.15mm

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW12NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

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