STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 920-8859
Herst. Teile-Nr.:: STW12NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-247

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Stück	Pro Stück	Pro Stange**
30 - 60	2,748 €	82,44 €
90 - 480	2,196 €	65,88 €
510 - 960	1,956 €	58,68 €
990 - 4980	1,652 €	49,56 €
5010 +	1,594 €	47,82 €

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RS Best.-Nr.:: 920-8859
Herst. Teile-Nr.:: STW12NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10,5 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	750 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	87 nC @ 10 V
Länge	15.75mm
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

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