STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
687-5263
Herst. Teile-Nr.:
STP12NK80Z
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10,5 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

750 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

87 nC @ 10 V

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

9.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links