STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP12NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-6691
Herst. Teile-Nr.:: STP12NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP12NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-220

Voraussichtlich ab 07.07.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

2,633 €

(ohne MwSt.)

3,133 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	2,633 €	131,65 €
100 - 200	2,133 €	106,65 €
250 +	1,92 €	96,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-6691
Herst. Teile-Nr.:: STP12NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10,5 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	750 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	87 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	9.15mm