STMicroelectronics Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 190 W, 3-Pin STP20NK50Z TO-220

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RS Best.-Nr.:
151-441
Herst. Teile-Nr.:
STP20NK50Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-220

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.27Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

119nC

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung des bewährten Power MESH-Layouts erreicht wurde. Zusätzlich zu einer deutlichen Reduzierung des Einschaltwiderstands wurde dieses Gerät so konzipiert, dass es ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet.

100% Avalanche-getestet

Minimierung der Gate-Ladung

Sehr niedrige intrinsische Kapazität

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