STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB4NK60ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 168-6689
Herst. Teile-Nr.:: STB4NK60ZT4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB4NK60ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 168-6689
Herst. Teile-Nr.:: STB4NK60ZT4
Marke:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 4A 600V SuperMESH D2PAK
STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z, STD4NK60Z-1, N-Channel 600V, 1.7 Ohm, 4A Zener-Protected SuperMESH Power MOSFETs
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	70 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.35mm
Länge	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18,8 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB4NK60ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

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