STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche SuperMESH-Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
168-6689
Herst. Teile-Nr.:
STB4NK60ZT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

SuperMESH-Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SuperMESH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC JESD97

Höhe

4.6mm

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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