STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB4NK60ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 687-5190
Herst. Teile-Nr.:: STB4NK60ZT4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB4NK60ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,532 €

(ohne MwSt.)

1,823 €

(inkl. MwSt.)

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 5	1,532 €	7,66 €
10 - 20	1,372 €	6,86 €
25 - 95	1,294 €	6,47 €
100 - 495	0,968 €	4,84 €
500 +	0,822 €	4,11 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 687-5190
Herst. Teile-Nr.:: STB4NK60ZT4
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	70 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	9.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18,8 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.6mm