STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 6 A 150 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
168-8924
Herst. Teile-Nr.:
STP6N120K3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

39 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.6mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

14.9mm

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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