STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP6N120K3 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 6 A 150 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-8924
Herst. Teile-Nr.:: STP6N120K3
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP6N120K3 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 6 A 150 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 168-8924
Herst. Teile-Nr.:: STP6N120K3
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	6 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,4 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	39 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Höhe	14.9mm