STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW6N120K3 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 6 A 150 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-8928
Herst. Teile-Nr.:: STW6N120K3
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW6N120K3 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 6 A 150 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 168-8928
Herst. Teile-Nr.:: STW6N120K3
Marke:: STMicroelectronics

STFW6N120K3, STP6N120K3, STW6N120K3, N-Channel 1200V, 1.95 Ohm typ., 6A SuperMESH3 Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	6 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,4 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	15.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	39 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.15mm
Diodendurchschlagsspannung	1.6V

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW6N120K3 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 6 A 150 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

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