STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 520 V / 4,4 A 70 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
168-7470
Herst. Teile-Nr.:
STP5NK52ZD
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4,4 A

Drain-Source-Spannung max.

520 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

70 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

16,9 nC @ 10 V

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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