- RS Best.-Nr.:
- 485-7686
- Herst. Teile-Nr.:
- STP4NK60Z
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Serie | MDmesh, SuperMESH |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 70 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Breite | 4.6mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 10.4mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18,8 nC @ 10 V |
Höhe | 9.15mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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